About The Speaker
Dafiné RAVELOSONA
Dafiné Ravelosona est directeur de recherche au CNRS au «Centre de Nanosciences et Nanotechnologies» (C2N) à Paris-Saclay où il est en charge du Département Nanoélectronique. Il a plus de 20 ans d'expérience dans les nouveaux concepts de mémoire de stockage à base de matériaux magnétiques. De 2004 à 2005, il a été chercheur invité au centre de recherche de Hitachi Global Storage Technology dans la Silicon Valley, où il a démontré la preuve de concept d'une mémoire magnétique la MRAM qui est aujourd'hui sur le marché. Il a co-écrit plus de 150 articles, dont plus de 10 articles sur la nature / science, donné plus de 50 conférences invitées, déposé 4 brevets et coordonné jusqu'à 10 projets internationaux. Il a récemment lancé un laboratoire international associé en Nanoélectronique entre le CNRS et les USA. Il a également lancé 2 start-up et a reçu 7 prix de l'innovation.
Présentation de l'entreprise
Nous vivons actuellement une nouvelle transition numérique portée par l’explosion du cloud, de l’intelligence artificielle et de l’internet des objet. et le volume de données numériques double tous les deux ans et le numérique consomme 10% de l’électricité mondiale. Pour accélérer la transition énergétique, il faut que les mémoires stockent plus et consomme moins. Mais les mémoires numériques atteignent leurs limites. La seule solution aujourd’hui est la MRAM, une mémoire émergente qui consomme très peu et qui est ultra-rapide. Elle a toutes les qualités pour devenir la mémoire universelle qui remplace toutes les mémoires existantes. Cependant, leur densité de stockage est encore trop faible
Pour résoudre ce verrou, Spin-Ion a développé un procédé breveté basé sur l’utilisation d’ions He qui guérit les défauts des matériaux utilisés dans les MRAM. Ce traitement permet de multiplier par 10 la densité de stockage, par 5 la capacité de production et divisé par 2 le budget thermique. Avec ce procédé, Spin-Ion trace le chemin éco-responsable de la nouvelle transition numérique
Pour résoudre ce verrou, spin ion a développé un procédé breveté basé sur l’utilisation d’ions He qui guérit les défauts des matériaux utilisés ds les MRAM. Ce traitement permet de multiplier par 10 la densité de stockage, par 5 la capacité de production et divisé par 2 le budget thermique. Avec ce procédé, Spin-Ion trace le chemin eco-responsable de la nouvelle transition numérique